Повышение хранения на уровне Nano

NANOTECHNOLOGY

Инженеры Северной Каролины Univ. разработали новый материал, который позволит чип ноготь размера компьютера для хранения эквивалент 20 высокой четкости, DVD, или 250 млн страниц текста - намного превышает емкостью современных компьютерных системах памяти.

Использование в основе процесса селективного легирования - изменение свойств материала, добавляя примеси - и работает на нанометровом уровне, они добавили металлического никеля на окись магния, керамики. В результате материал, содержащийся кластеров атомов никеля менее 10 нм2 - 90% размера меньше по сравнению с технологиями сегодняшнего дня и улучшения, что может повысить способность памяти ЭВМ.

"Вместо того, чтобы чип, который хранит 20 гигабайт, у вас есть один, который может обрабатывать один терабайт, или 50 раз больше данных", говорит Джагдиш Нараян, профессор материаловедения и директор Национального научного фонда Центр перспективных материалов и Smart структуры в НК государства.

Этот процесс также является многообещающим для повышения топливной экономичности транспортных средств и уменьшения количества тепла, вырабатываемого полупроводников, потенциально важным событием для более эффективного производства энергии. Введение металлических свойств в керамику может позволить новое поколение керамических двигателей выдерживать температуры в два раза выше, чем в нормальных двигатели и достичь экономии топлива в 80 миль на галлон. И с улучшенной теплопроводностью, материал может найти применение в освоении альтернативных источников энергии, таких, как солнечная энергия.

Это открытие также достижения знания в новой области спинтроники, который посвящен использованию энергии, произведенной на вращение электронов. Большая часть энергии используется сегодня является запряг благодаря движению текущих и ограничено количество тепла, которое она производит. С другой стороны, энергия, порождаемая вращение электронов не производит тепло. NC государство инженеры смогли манипулировать наноматериал, чтобы спина электронов в материале, которые подлежат контролю, которые могли бы оказаться полезными в деле использования энергии электронов и в создании более эффективных полупроводников.